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兆易创新研究报告:民生证券-兆易创新-603986-2019年度报告点评:NOR闪存高景气,业务多点开花-200330

股票名称: 兆易创新 股票代码: 603986分享时间:2020-03-29 23:18:54
研报栏目: 公司调研 研报类型: (PDF) 研报作者: 王芳
研报出处: 民生证券 研报页数: 5 页 推荐评级: 推荐
研报大小: 417 KB 分享者: 364****88 我要报错
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【研究报告内容摘要】

  一、事件概述
  3月26日,公司发布2019年度报告:营收32亿元,同比+42.6%,归母净利润6.1亿元,同比+49.9%,扣非后归母净利润5.7亿元,同比+56.7%;经营活动现金净流量为9.7亿元,同比+56%;基本EPS为2.02元,同比+40.3%。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】
  二、分析与判断
  业绩符合预期,受益NOR闪存景气上行
  1、19年盈利能力小幅提升,研发投入持续加大:
  公司在业绩预告中披露,预计归母净利润约为6亿元至6.5亿元,同比增长48%至60%,实际业绩处于业绩预告区间下限之上。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)受益新产品持续导入+规模效应,2019年毛利率为40.5%,同比+2.3pct;净利率为18.9%,同比+0.9pct;加权平均ROE为17%,同比5.3pct;期间费用率为19.8%,同比+2.5pct(因调薪和人员增加,销售和管理费用增加9222万元);研发投入为3.6亿元,同比增长74.6%,主要用于闪存和MCU先进节点研发;应收账款为1.87亿元,同比增长80.8%,因为信用客户销售额增加以及思立微并表(其年报应收账款4020万元)。19年公司计提资产减值和信用减值损失约3789万元,若不考虑该影响,实际业绩更佳。
  2、Q4单季度业绩和盈利能力同比明显增长:
  19Q4单季营收10亿元,同比+90.5%,环比基本持平;19Q4归母净利润1.6亿元,同比+317.4%,环比-40%,19Q4毛利率为43.7%,同比+6pct;19Q4净利率为15.7%,同比+8.6pct。Q4表观利润环比明显下滑,主要是营业外支出环比增加(因思立微涉及诉讼,出于谨慎原则计提预计负债和营业外支出共4002万元)。
  3、受益国产替代加速,新产品、新客户持续导入,市占率大幅提升:
  1)19年存储芯片营收为25.6亿元,同比+39%,营收占比为79.8%,同比-2.1pct,毛利率为38.9%,同比+1.9pct,主要受益于NOR需求逐季提升+规模效应;19Q3公司NORFlash全球份额18.3%,全球排第三,18年市占率为10.5%(排名第五),同比明显提升。
  2)微控制器营收为4.4亿元,同比+9.7%,营收占比为13.9%,同比-4.2pct,毛利率为45.4%,同比+1.7pct,主要受益新产品导入和国产替代加速,毛利率稳中有升。公司MCU在中国Arm Cortex-MMCU市场销售额排名第三,市占率为9.4%。GD32成为中国32位通用MCU主流产品(含24个系列320余款产品),覆盖率业界领先。
  3)传感器营收为2.03亿元,营收占比为6.3%,毛利率为50.3%。2018年触控芯片全球份额为11.4%,排名第四,指纹芯片全球份额为9.4%,排名第三。
  4)深化产业链合作。公司与中芯国际、华力微、联华电子深度合作,与台积电合作顺利,2019年闪存芯片及MCU出货约30亿颗。
  4、TWS、OLED、5G等下游需求较旺,NOR闪存将进入上行周期
  1)新技术新产品持续导入。公司NOR累计出货超100亿颗,工艺节点以65nm为主,少量为55nm,2020年将实现55nm产品大容量、高性能产品全面量产,适应5G基站、可穿戴、AIOT等需求,全线产品支持WLCSP封装;公司推出业内首款高速4通道NORFlash解决方案以及业内最高性能的NORFlash解决方案之一8通道SPINORFlash产品系列,面向车载、AI、IOT等快速读取需求。SLCNAND工艺节点为38nm,2020年将实现24nm NAND产品量产,与SLCNAND主流工艺节点(19-38nm)差距不断缩小,将受益移动终端、智能终端、AIOT等需求。
  2)需求驱动NOR大幅增长。公司NORFlash切入国际大客户TWS供应体系,单机价值量大且受益TWS渗透率提升,并且拓展了车载电子、安防、物联网等领域多个客户。
  受益于TWS、OLED、5G基站、IOT等渗透率提升,NORFlash需求将持续向上,公司将持续受益。
  5、定增加码DRAM,打造DRAM、Flash存储巨擘
  1、DRAM行业景气度上升。中国市场约占全球DRAM市场的40%。据赛迪顾问,移动型DRAM是国内DRAM的最大应用,预计21年中国DRAM市场规模将达到4506亿元,预计移动型DRAM市场规模从19年到21年CAGR为28%,服务器用DRAM市场规模从19年到21年CAGR为31.6%。受益库存去化+需求复苏,DRAM价格在19Q3企稳,景气度有望持续提升。
  2、定增完善存储版图。公司拟定增募资不超过43.24亿元,投向DRAM芯片研发及产业化项目,重点研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,计划开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。公司持续推进与合肥12英寸晶圆存储器项目研发合作,以可转股债权投资项目3亿元。合肥长鑫第一代8Gb DDR4DRAM于19Q3提前投产,产品已通过国内外大客户验证。公司已实现NOR和NAND闪存量产,布局DRAM将完善存储版图,多方合作将有望提升综合竞争力,将有望受益存储芯片行业拐点。
  6、MCU新产品不断推出,指纹识别取得新突破
  1)MCU产品结构优化,向高性能、低功耗升级。MCU产品累计出货超过3亿颗,客户数量超过2万家。19年8月公司推出全球首颗基于RISC-V内核的32位通用MCU产品,基于ARM架构的高性价比MCU产品持续发布。受益工控、消费类嵌入市场等领域需求增长,MCU将迎来复苏,有望持续增长。
  2)传感器新产品将规模化应用。19H2思立微贡献收入2.03亿元,优化透镜式光学指纹产品,并推出LCD屏下光学指纹、超小封装透镜式光学指纹、超薄光学指纹、大面积TF光学指纹,成为全行业唯一一家拥有指纹全部品类公司。2020年超小封装透镜式/超薄/大面积TFT光学指纹将有望规模应用,并推出柔性大面积光学指纹,受益屏下指纹渗透率提升。我们认为,公司基于存储和MCU业务切入触控和指纹识别传感业务,将有效发挥协同作用,为客户推出存储、控制、传感、边缘计算等一站式服务。
  三、投资建议
  公司是全球领先的存储器芯片及MCU供应商,受益半导体自主可控趋势,同时是国家存储芯片战略平台之一。由于NORFlash供不应求、公司切入国际大客户、芯片国产替代加速,上调公司盈利预测,预计20/21/22年净利润分别为11亿/14亿/17亿元,对应PE分别为80X/64X/51X。参考SW半导体行业PE估值为246倍,维持“推荐”评级。
  四、风险提示:
  1、下游需求景气度下滑;2、对外合作与收购整合不及预期;3、新产品推出不及预期。
  

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