GaN材料的加入使手机充电器快充效率进一步提升。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】] GaN材料的运行速度比旧式慢速硅加快了20倍，并且能实现高出三倍的功率。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）GaN充电器具备小巧、高效、发热低等优势，在CES2020上，有30家厂商推出了66款GaN产品，但是由于技术、良率等问题，价格相对昂贵。随着GaN技术的革新升级，性能及成本优势加持下，GaN未来有望成为主流快充技术。GaN充电器或将凭借自身的突出优势加速普及，成为未来解决手机续航问题的关键。
　　GaN在射频器件、功率器件等领域都表现出较强的渗透能力。在性能上，GaN材料本身拥有很大带隙，可大幅降低导通电阻，并可在高温下工作。GaN充电器不仅具备了低发热小体积的突出优势，更在充电功率转换上更具优势。一方面，GaN器件适用于多数功率器件市场，按照整体市场154亿美元来看，占据68%的该部分低压市场都是GaN的潜在市场，约有105亿美元。作为功率器件，GaN在电源设备上先行一步，在其它电子器件市场也有望加速渗透，能够广泛应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。另一方面，5G为射频主战场带来重大机遇。射频领域是GaN技术渗透率最高，发展前景最大的行业。2018年GaN射频器件市场规模不足2亿美元，预计将保持23%的年复合增速，预计2023年市场规模可达13亿美元。
　　三安光电等国内企业正在加速布局GaN生产线。在当前市场格局上，美日欧厂商处于领先地位，但中国企业已经有所涉及。尽管我国氮化镓材料起步较晚，但国家相关扶持政策在不断为第三代半导体器件的研制和应用加码。国内已有数条GaN生产线投入使用，并投建了多个与第三代半导体相关的研发平台。国外厂商积极布局中国市场的同时，国内厂商三安光电积极利用其国内光电领域龙头地位的技术领先优势，投资30亿元用于进一步规划GaN外延片及芯片生产线的筹建，有望在GaN加速渗透趋势中优先收益。
　　投资建议。未来全球氮化镓快充市场必将飞速发展，迅速获得广大用户群体的接受和认可。我们假设全球手机销售量受5G刺激迎来拐点，呈现稳定增长趋势；标配快充比例按照稳种有升的速度变化；快充中GaN渗透率加速增加、GaN充电器价格稳定降低的趋势，到2025年全球GaN充电器市场规模将增长至213.8亿元。建议关注积极布局第三代半导体产业链的国内企业三安光电。三安光电是化合物半导体国产替代龙头标的，不断布局化合物半导体，加大投入成立新项目以适应未来5G环境下增长的射频器件的需求，公司有望获得射频前端器件自给率提高带来的红利。
　　风险提示：宏观经济形势恢复不及预期、5G建设不及预期。